| dc.contributor.advisor | 吳豐祥 | zh_TW |
| dc.contributor.author (Authors) | 徐竣祈 | zh_TW |
| dc.creator (作者) | 徐竣祈 | zh_TW |
| dc.date (日期) | 2007 | en_US |
| dc.date.accessioned | 18-Sep-2009 09:32:29 (UTC+8) | - |
| dc.date.available | 18-Sep-2009 09:32:29 (UTC+8) | - |
| dc.date.issued (上傳時間) | 18-Sep-2009 09:32:29 (UTC+8) | - |
| dc.identifier (Other Identifiers) | G0095359010 | en_US |
| dc.identifier.uri (URI) | https://nccur.lib.nccu.edu.tw/handle/140.119/34351 | - |
| dc.description (描述) | 碩士 | zh_TW |
| dc.description (描述) | 國立政治大學 | zh_TW |
| dc.description (描述) | 科技管理研究所 | zh_TW |
| dc.description (描述) | 95359010 | zh_TW |
| dc.description (描述) | 96 | zh_TW |
| dc.description.abstract (摘要) | 競爭是現代社會中無所不在的行為，國家或企業透過產業競爭分析、企業競爭分析，乃至市場分析及技術預測（Technological Forecast），才能知己知彼並且擬定正確的決策。對科技產業而言，若企業無法隨時掌握技術發展的趨勢，儘早投入技術研發或調整企業的經營策略。不久之後，市場便會被其他競爭對手所佔據。所幸，沒有一項技術發明是直接由發明者的腦袋直接跳到廣泛應用的境地。其間總是經過好幾個連續階段，每一個階段都使得「實用性」及「有用性」更成熟。因此若能掌握科技發展的脈絡，早期投入研發，便能維持企業的競爭優勢。 專利資訊可以用來評估與預測技術發展、規劃研發或技術發展項目、避免誤觸專利權而浪費研發資源、掌握企業發展動向及市場需求。許多企業和政府機關已經發現專利分析的重要性，並且投入大量的人力、物力來進行專利分析的工作。然而，專利的申請日和公開日之間還是存在至少18個月的時滯，若企業過渡倚賴專利資訊的分析，容易使後續的研發資源投入競爭激烈的技術紅海當中。因此若要充分掌握前瞻技術發展的脈動，基礎研究趨勢分析相對於專利趨勢分析，其重要性有過之而無不及。 在分析方法方面，現存的書目記錄以科學與技術類佔大多數，因此，以書目計量學為工具，自然成為研究「科學」技術整體發展的主流。除了傳統的計量分析之外，利用自動化的方法，挖掘大量文件中的隱含及有用知識，也是最近熱門的研究議題。對探勘技術而言，關聯分析、分群、預測等探勘技術，也漸漸成為技術預測不可或缺的工具之一。 過去曾有眾多的研究利用書目計量來分析學術論文或專利資訊，而最近幾年則陸續出現利用文字探勘來分析學術論文或專利資訊，但這樣的分析結果是片段而不完全的。本研究提出整合性的概念，同時結合計量分析（Bibliometrics）與文字探勘（Text Mining）兩種方法，分別對學術論文（Science Citation Index Expanded）與專利資訊（Derwent World Patents Index）這兩種文獻資料作分析，透過互相比較來瞭解技術發展的趨勢。除此之外，也希望透過個案分析，對本研究所提出之方法論本身，探討之間的關聯性。 在選擇個案方面，奈米科技是目前最熱門的科技產業發展方向。其中最具代表性的產業即「半導體產業」和「微機電系統產業」。蝕刻（Etching）製程與設備技術的良劣，直接影響晶圓產品良率的高低，是影響奈米科技未來發展的重要技術之一。故蝕刻技術之發展趨勢值得深入研究。 而本研究之研究結論如下：1.技術趨勢分析在層次上宜由遠（計量分析）而近（文獻探勘），理論（論文資料）與應用（專利資料）應並重，分析結果才能互補長短。2.科學發展與市場需求為專利技術生命週期的領先指標。3.科學發展增加技術商業化的應用，但市場需求則強化了創新擴散的效果。4.蝕刻技術的基礎研究目前處於成熟期，而技術發展目前處於成長期。在電子產品輕薄短小、高效能的需求下，預期蝕刻技術將持續被商業化應用。5.蝕刻技術的領先地位，美商已逐漸被亞洲企業所取代，尤其近來南韓的半導體廠商最為積極。台灣的台積電和聯電過去已累積雄厚的技術發展基礎，惟台灣在基礎研究與產學合作方面仍待加強。 | zh_TW |
| dc.description.tableofcontents | 目錄 iii圖目錄 vi表目錄 viii第一章 緒論 1第一節 研究背景 1第二節 研究動機與目的 3第三節 研究流程 6第二章 文獻探討 7第一節 技術預測 7一、 技術預測定義 7二、 技術預測用途 8三、 技術預測方法 8四、 趨勢分析法 11五、 關聯法 13第二節 資訊計量學 15一、 文獻的成長 16二、 高科技產業之資訊計量研究 19第三節 專利分析 21一、 專利的意義 21二、 專利要件 21三、 專利的重要性與效益 22四、 以專利作為分析對象的優缺點 23五、 專利技術生命週期 25六、 專利資料庫 27第四節 文字探勘 29一、 特徵值的擷取及選擇 30二、 文件向量空間與分群演算法 31三、 主題偵測 33四、 文字探勘在專利分析上的研究 35第五節 小結 36第三章 研究方法 37第一節 研究架構 37第二節 研究對象與範圍 38一、 科學引文索引（SCI） 39二、 Derwent世界專利索引（DWPI） 40第三節 研究工具 43一、 Web of Science 43二、 Delphion 44三、 文字探勘軟體 46四、 Excel試算表 47第四節 研究步驟與參數選擇 47一、 計量分析 48二、 文字探勘 51第五節 研究限制 54第四章 個案分析與結果－以蝕刻技術為例 55第一節 蝕刻技術介紹 55一、 基本概念 55二、 濕蝕刻 55三、 乾蝕刻 57四、 蝕刻技術研發的趨勢 60第二節 蝕刻技術SCIE計量分析 61一、 SCIE文獻成長 62二、 SCIE國家/地區分佈 65三、 SCIE研究機構分佈 67四、 SCIE學科分類分佈 70第三節 蝕刻技術DWPI計量分析 73一、 DWPI專利成長 74二、 DWPI國家/地區分佈 77三、 DWPI專利權人分佈 79四、 DWPI專利Derwent主分類分佈 82第四節 蝕刻技術SCIE文字探勘 85一、 SCIE各時期關鍵字分佈 85二、 台灣SCIE關鍵字研究領域地圖 88第五節 蝕刻技術DWPI文字探勘 90一、 DWPI各時期關鍵字分佈 90二、 台灣DWPI關鍵字研究領域地圖 93第五章 研究發現與討論 95第一節 計量分析 95一、 文獻成長比較 95二、 國家/地區分佈比較 98三、 機構組織分佈比較 100四、 分類別分佈比較 103第二節 文字探勘 104第六章 研究結論與建議 107第一節 研究結論 107一、 分析方法 107二、 創新擴散 108三、 蝕刻技術發展趨勢 110第二節 研究建議 111一、 實務上的建議 111二、 後續研究的建議 112參考文獻 115附錄 121 【圖目錄】圖 1-1：科技萎縮 1圖 1-2：創新階段 2圖 1-3：創新階段與文獻來源 2圖 1-4：研發生命週期與專利壽命示意圖 4圖 1-5：研究流程圖 6圖 2-1：探索性與規範性預測方法 9圖 2-2：透過歷史資料經由趨勢預測法預測未來 11圖 2-3：技術進程的S曲線 12圖 2-4：技術替代曲線 12圖 2-5：多國（國家不詳）平均每人電話數與平均每人產值間的關係 13圖 2-6：日本相機專利數與市場佔有率的關係 14圖 2-7：資訊計量學與其他學科之間的關係 15圖 2-8：對數曲線 18圖 2-9：專利、發明與創新的關係 25圖 2-10：專利技術生命週期 26圖 2-11：階層式聚合演算法概念圖 32圖 2-12：2003年5月20~22日中央社新聞分群分析的部份結果 34圖 3-1：研究架構圖 37圖 3-2：Derwent Title和Original Title比較 41圖 3-3：Web of Science分析功能－以發表時間為例 44圖 3-4：Snapshot擷圖－以蝕刻技術為例 46圖 3-5：Web of Science檢索紀錄匯出 51圖 3-6：擷取Derwent Title 52圖 3-7：台灣蝕刻技術SCIE關鍵字研究領域地圖 54圖 4-1：濕蝕刻溶液與薄膜所進行的反應機制 55圖 4-2：濕蝕刻與乾蝕刻的比較圖 56圖 4-3：乾蝕刻分類示意圖 57圖 4-4：歷年SCIE篇數及成長率 62圖 4-5：SCIE對數成長上限參數M與R2之關係圖 63圖 4-6：SCIE文獻歷年累積數量及線性、指數與對數迴歸 64圖 4-7：各國家/地區SCIE歷年發表累積數量 66圖 4-8：各研究機構SCIE歷年發表累積數量 69圖 4-9：各學科分類SCIE歷年發表累積數量 72圖 4-10：歷年DWPI件數及成長率 74圖 4-11：DWPI對數成長上限參數M與R2之關係圖 75圖 4-12：DWPI文獻歷年累積數量及線性、指數與對數迴歸 76圖 4-13：各國家/地區DWPI歷年發表累積數量 78圖 4-14：各專利權人DWPI歷年發表累積數量 81圖 4-15：各專利分類DWPI歷年發表累積數量 84圖 4-16：台灣蝕刻技術SCIE關鍵字研究領域地圖 89圖 4-17：台灣蝕刻技術SCIE關鍵字群歷年發表累積數量 89圖 4-18：台灣蝕刻技術DWPI關鍵字研究領域地圖 94圖 4-19：台灣蝕刻技術DWPI關鍵字群歷年發表累積數量 94圖 5-1：歷年SCIE與DWPI數量成長情況 96圖 5-2：歷年SCIE、DWPI數量分佈與費城半導體指數比較 97圖 5-3：各國SCIE論文和DWPI專利產出之對數地圖 99圖 6-1：研究架構各元素之間的關聯 107圖 6-2：科學發展、市場需求、專利數與市場佔有率之相互影響關係 109 【表目錄】表 2-1：技術預測四項要素的特性 7表 2-2：技術預測方法與適用情境 10表 2-3：技術預測方法的分類 10表 2-4：專利趨勢分析應用 24表 2-5：付費資料庫功能比較 28表 3-1：GLDS所包含的公司名稱 42表 3-2：台灣SCIE蝕刻技術關鍵字群 53表 4-1：SCIE文獻成長迴歸方程式及R2 64表 4-2：各國家/地區SCIE發表數量 65表 4-3：各研究機構SCIE發表數量 67表 4-4：各學科分類SCIE發表數量 70表 4-5：DWPI文獻成長迴歸方程式及R2 76表 4-6：各國家/地區DWPI發表數量 77表 4-7：各專利權人DWPI發表數量 79表 4-8：各專利Derwent主分類DWPI發表數量 82表 4-9：SCIE各時期分群表與關鍵字主題 85表 4-10：SCIE關鍵字趨勢 87表 4-11：台灣SCIE蝕刻技術關鍵字群 88表 4-12：DWPI各時期分群表與關鍵字主題 90表 4-13：DWPI關鍵字趨勢 92表 4-14：台灣DWPI蝕刻技術關鍵字群 93表 5-1：台韓之間整體論文與發明專利比較 100表 5-2：台灣創新系統成員在美國專利之相互引證情況（1996~2003年） 100表 5-3：SCIE與DWPI數佔該國之比例 102表 5-4：SCIE與DWPI關鍵字趨勢比較 105 | zh_TW |
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| dc.source.uri (資料來源) | http://thesis.lib.nccu.edu.tw/record/#G0095359010 | en_US |
| dc.subject (關鍵詞) | 書目計量 | zh_TW |
| dc.subject (關鍵詞) | 文字探勘 | zh_TW |
| dc.subject (關鍵詞) | 專利 | zh_TW |
| dc.subject (關鍵詞) | 科學引文索引 | zh_TW |
| dc.subject (關鍵詞) | 技術預測 | zh_TW |
| dc.subject (關鍵詞) | 蝕刻技術 | zh_TW |
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| dc.title (題名) | Technology Trends Analysis via Patent and Scientific Publication - A Case Study of Etching | en_US |
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