| dc.contributor.advisor | 陳秉訓 | zh_TW |
| dc.contributor.advisor | Chen, Ping-Hsun | en_US |
| dc.contributor.author (Authors) | 楊采陵 | zh_TW |
| dc.contributor.author (Authors) | Yang, Tsai-Ling | en_US |
| dc.creator (作者) | 楊采陵 | zh_TW |
| dc.creator (作者) | Yang, Tsai-Ling | en_US |
| dc.date (日期) | 2025 | en_US |
| dc.date.accessioned | 1-Sep-2025 16:08:24 (UTC+8) | - |
| dc.date.available | 1-Sep-2025 16:08:24 (UTC+8) | - |
| dc.date.issued (上傳時間) | 1-Sep-2025 16:08:24 (UTC+8) | - |
| dc.identifier (Other Identifiers) | G0112364207 | en_US |
| dc.identifier.uri (URI) | https://nccur.lib.nccu.edu.tw/handle/140.119/159258 | - |
| dc.description (描述) | 碩士 | zh_TW |
| dc.description (描述) | 國立政治大學 | zh_TW |
| dc.description (描述) | 科技管理與智慧財產研究所 | zh_TW |
| dc.description (描述) | 112364207 | zh_TW |
| dc.description.abstract (摘要) | 本研究以FinFET元件專利為標的，分析聚美國專利訴訟KAIST v. Samsung案與In re Gatabi案兩起實務判決，探討法院對專利請求項解釋之實務見解。在侵權訴訟中，請求項解釋的結果往往成為影響法院判斷勝敗的重要關鍵，不論是權利人主張侵權成立，或被告挑戰專利有效性以及限縮權利範圍使被控侵權物不落入請求項中，皆深受請求項內容所影響。
因此本文透過整理KAIST v. Samsung案中法院對前言限制效力、技術用語定義及明確性爭議所作認定及見解依據，也分析In re Gatabi案中專利權人對前案是否揭露技術特徵所提出的抗辯內容，以提供新的撰寫專利思考角度。
本研究最後透過觀察及分析，從兩件專利訴訟中得到專利撰寫的啟發，除應避免冠詞誤用、技術用語使用不明確外，也可以多利用說明書描述以完善專利用語之明確性，以此提升專利權人於未來訴訟中之攻擊效益。 | zh_TW |
| dc.description.abstract (摘要) | This study focuses on patents related to FinFET devices and analyzes two U.S. patent litigation cases—KAIST v. Samsung and In re Gatabi—to examine judicial practices in claim construction. In patent infringement litigation, the outcome of claim interpretation often plays a decisive role in the court’s determination of liability. Whether a patentee asserts infringement or a defendant challenges patent validity or seeks to narrow the claim scope to exclude the accused product, the interpretation of claim language is critical.
Accordingly, this study organizes and analyzes the court’s reasoning in KAIST v. Samsung concerning the limiting effect of preambles, the definition of technical terms, and issues of claim indefiniteness. It also examines the patentee’s arguments in In re Gatabi regarding whether the prior art disclosed the claimed technical features, thereby offering new perspectives for drafting patent claims.
Ultimately, by observing and analyzing these two cases, this study draws insights for effective patent drafting. It emphasizes the importance of avoiding the misuse of articles and vague technical terminology, and highlights the need to utilize the specification to clarify claim terms. These strategies aim to enhance the patentee’s offensive position in future litigation. | en_US |
| dc.description.tableofcontents | 第一章 緒論 1
第一節 研究動機與目的 1
第二節 研究方法 2
第三節 研究範圍與限制 2
第四節 研究架構 3
第二章 鰭式場效電晶體與金氧半場效電晶體 4
第一節 電晶體概說 4
壹、 電晶體發展史 4
貳、 半導體基本原理 5
參、 電晶體型態 6
一、 雙極接面電晶體 7
二、 場效電晶體 8
(一) 接面場效電晶體 8
(二) 金屬氧化物半導體電晶體 8
第二節 MOSFET概說 9
壹、 MOSFET之元件結構 9
貳、 MOSFET運作原理 9
第三節 FinFET概說 10
壹、 SOI FinFET 10
貳、 bulk FinFET 12
第四節 小結 12
第三章 KAIST v. Samsung案看專利侵權訴訟攻防 13
第一節 訴訟背景 13
壹、 事實經過 13
貳、 系爭專利 14
一、 發明內容 15
二、 請求項分析 15
第二節 爭點一 請求項解釋 17
壹、 美國專利法理論基礎 17
一、 解釋請求項之基本理論 18
二、 解釋請求項之性質 18
三、 解釋請求項之證據 19
貳、 法院見解 19
一、 前言是否為限制條件 19
二、 用語解讀差異 21
(一) self-aligned定義 21
(二) chamfered定義 23
(三) trapezoid定義 25
三、 用語不明確 26
(一) first oxidation / oxide layer 26
(二) said doping junction depth和around 27
(三) reduced 31
(四) size和and/or 32
(五) vicinity 34
(六) -50 nm below 35
四、 小結 36
第三節 爭點二 有效性認定 37
壹、 美國專利法理論基礎 37
一、 主張專利無效 37
(一) 發明非專利適格標的 37
(二) 專利不具實用性(utility) 38
(三) 專利不具新穎性(novelty) 38
(四) 專利不具非顯而易見性(non-obviousness) 39
(五) 專利未被充分揭露或未能據以實施 39
二、 專利不可執行 39
(一) 不正行為 40
(二) 權利濫用 40
貳、 法院見解 40
一、 有效性認定之系爭技術特徵一 40
二、 有效性認定之系爭技術特徵二 42
三、 有效性認定之系爭技術特徵三 42
四、 有效性認定之系爭技術特徵四 42
第四節 爭點三 侵權認定 43
壹、 美國專利法理論基礎 43
一、 專利侵權之態樣 43
二、 專利侵權之判斷 44
貳、 法院見解 45
一、 侵權認定之系爭技術特徵一 45
二、 侵權認定之系爭技術特徵二 46
三、 侵權認定之系爭技術特徵三 46
四、 侵權認定之系爭技術特徵四 47
第四章 In re Gatabi案看專利行政訴訟 47
第一節 美國專利領證後審查制度 48
第二節 In re Gatabi案 48
壹、 背景事實 49
貳、 爭點與CAFC見解 50
一、 爭點一 51
二、 爭點二 51
三、 討論與分析 52
第五章 結論與建議 53
第一節 研究成果 53
壹、 爭點整理 53
一、 KAIST v. Samsung案 53
二、 In re Gatabi案 56
貳、 從專利訴訟思考專利撰寫之啟發 56
第二節 未來展望 57
參考文獻 58
附錄 61 | zh_TW |
| dc.format.extent | 11256919 bytes | - |
| dc.format.mimetype | application/pdf | - |
| dc.source.uri (資料來源) | http://thesis.lib.nccu.edu.tw/record/#G0112364207 | en_US |
| dc.subject (關鍵詞) | 鰭式場效電晶體 | zh_TW |
| dc.subject (關鍵詞) | 專利侵權訴訟 | zh_TW |
| dc.subject (關鍵詞) | 請求項解釋 | zh_TW |
| dc.subject (關鍵詞) | 侵權認定 | zh_TW |
| dc.subject (關鍵詞) | 訴訟攻防 | zh_TW |
| dc.subject (關鍵詞) | FinFET | en_US |
| dc.subject (關鍵詞) | Patent infringement litigation | en_US |
| dc.subject (關鍵詞) | Claim construction | en_US |
| dc.subject (關鍵詞) | Infringement determination | en_US |
| dc.subject (關鍵詞) | Litigation strategy | en_US |
| dc.title (題名) | 論FinFET元件專利寫作 ─ 以兩件美國專利判決為借鏡 | zh_TW |
| dc.title (題名) | Patent Drafting for FinFET Devices: Insights from Two U.S. Patent Law Cases | en_US |
| dc.type (資料類型) | thesis | en_US |
| dc.relation.reference (參考文獻) | 中文文獻(依作者姓氏筆畫數)
書籍
王承守、鄧穎懋，美國專利訴訟攻防策略應用，2004年11月。
李雅明，半導體的故事：發展與現況，2022年5月，2版。
陳郁婷、周延鵬、王承守、鄧穎懋，跨國專利侵權訴訟之管理，2008年9月，2版。
顏吉承，專利說明書撰寫實務，2021年3月，3版。
盧建川，專利撰寫與申請實務：基於美國先例見解，2024年4月25日。
楊智傑，專利法，2014年9月。
楊智傑，美國專利法與重要判決，2023年8月，3版。
劉尚志、王敏銓、張宇樞、林明儀、賴婷婷，PATENT WARS美台專利訴訟實戰暨裁判解析，2012年11月，2版。
劉尚志、陳在方，台灣科技產業美國專利訴訟30年之回顧，2019年3月，2版。
劉國讚，美國專利法原理與判例，2024年4月。
謝銘洋，智慧財產權法，12版，2023年2月。
翻譯書籍
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期刊論文
林育輝，請求項解釋原則的觀察——以美國與我國法院案例實務為中心，專利師，第40期，2020年1月。
許忠信，「製法界定物」申請專利範圍之比較法研究，成大法學，42期，2021年。
趙志祥，專利法修正草案之複審與爭議案件制度探討，專利師，56期，2024年。
劉國讚；嚴勻希，論製造方法界定物請求項之解釋，專利師，19期，2014年。
謝祖松，專利周邊限定主義及中心限定主義之辯與辨——兼論折衷主義，專利師，22期，2015年。
網路資料
Bond，科技產業資訊室，「韓國KAIST因未收到FinFET專利訴訟和解金相關收入，轉而控告其專利貨幣化代理人KIP 與訴訟資金融資者」，2022年6月28日，網址：https://iknow.stpi.niar.org.tw/Post/Read.aspx?PostID=19309，最後瀏覽日：2025年4月21日。
May，財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心科技產業資訊室，「南韓KAIST啟動FinFET專利戰要求三星、高通支付授權金」，2016年12月2日，網址：https://iknow.stpi.niar.org.tw/Post/Read.aspx?PostID=13003 ，最後瀏覽日2025年4月21日。
宋京恩，東亞日報，「KAIST在美國向三星電子和高通等3家公司發起專利權訴訟」，2016年12月1日，網址：https://www.donga.com/tw/article/all/20161201/792725/1，最後瀏覽日2025年4月21日。
快科技，「三星FinFET技術侵權案宣告和解：Intel此前已付錢」，2020年9月15日，網址：https://read01.com/8aOM50B.html，最後瀏覽日2025年7月21日。
英文文獻(依作者姓氏字母序)
書籍
HONG XIAO, INTRODUCTION TO SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY (SPIE, 2d ed. 2012).
JEAN-PIERRE COLINGE, FINFETS AND OTHER MULTI-GATE TRANSISTORS (Tyndall National Institute. 2008).
YUAN TAUR AND TAK H. NING, FUNDAMENTALS OF MODERN VLSI DEVICES (Cambridge University Press, 2d ed. 2009).
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David B. Pieper, The Appropriate Judicial Actor for Patent Interpretation: A Commentary on the Supreme Court's Decision in Markman v. Westview Instruments, INC., 51 ARK. L. REV. 159 (1998).
Ping-Hsun Chen, Definite Indefiniteness of “Molecular Weight” as a Claim Term for Polymer-Related Patents, 11 J. BUS. ENTREPRENEURSHIP & L. 207 (2018).
Ping-Hsun Chen, Claim Construction Cannot Save a Modified Gene Invention Claimed with a Scientifically Debatable Biological Mechanism: A Lesson from Bayer CropScience AG v. Dow AgroSciences LLC, 728 F.3d 1324 (Fed. Cir. 2013), 33BIOTECHNOLOGY L. REP. 209 (2014).
Sean B. Seymore, Rethinking Novelty in Patent Law, 60 DUKE L.J. 919 (2011).
Sean T. Moorhead, The Doctrine of Equivalents: Rarely Actionable Non-Literal Infringement or the Second Prong of Patient Infringement Charges?, 53 OHIO ST. L.J. 1421 (1992).
網路文獻
CompareWords，“What's the difference between lithography and photolithography?”，網址：https://comparewords.com/lithography/photolithography，最後瀏覽日2025年5月29日。 | zh_TW |
