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題名 鎳鈀,鎳銅多層膜界面異向性磁阻
Interfacial anisotropic magnetoresistance of Ni/Pd and Ni/Cu multilayers
作者 李信甫
Lee, Hsin Fu
貢獻者 李尚凡
Lee, Shang Fan
李信甫
Lee, Hsin Fu
關鍵詞 多層膜
異向性
磁阻
multilayers
anisotropic
magnetoresistance
日期 2013
上傳時間 25-Aug-2014 15:23:19 (UTC+8)
摘要 在磁性材料中的電阻率會隨著磁場與電流的夾角不同而改變且磁場平行於電流時會大於磁場垂直於電流時的值(ρH‖I > ρH⊥I)，此現象稱作異向性磁阻(Anisotropic Magnetoresistance, AMR)效應。而在薄膜材料中，因為和塊材的形狀差異，磁場垂直於電流的電阻率又可以分為磁場方向平行於膜面(ρ⊥HIP)和磁場方向垂直於膜面 (ρ⊥HPP)。而依這兩者在單層膜與多層膜中不一樣的行為又可以分作兩種效應。在Co、Ni的單層膜中ρ⊥HIP > ρ⊥HPP，此現象稱為幾何尺寸效應(Geometric Size Effect, GSE)，而在Co/Pt的多層膜中ρ⊥HPP > ρ⊥HIP，與幾何尺寸效應果相反，此現象稱為異向性界面磁阻(Anisotropic Interface Magnetoresistance, AIMR)。而我們在Pd/Ni、Cu/Ni多層膜中更是看到磁場方向垂直於膜面 (ρ⊥HPP)大於磁場平行於電流(ρH‖I)，這是和異向性磁阻(Anisotropic Magnetoresistance, AMR)效應完全相反的現象，我們稱作反常異向性磁阻(Inverse AMR)效應
本實驗製作的樣品皆為磁性層與非磁性層交錯的多層膜，磁性層材料為鎳(Ni)，非磁性層的材料則選用接近滿足Stoner 準則(Stoner criterion)之一的鈀(Pd)，以及遠離此準則且自旋軌道交互作用很弱的銅(Cu)當對照組。而為了釐清其發生機制，所以分別做了兩種類型的樣品，第一類是固定單層膜厚改變層數，第二類是固定層數及磁性層(非磁性層)改變非磁性層(磁性層)。完成後的樣品首先以XRD確認樣品的膜厚與品質，接著在10 K和300 K的溫度量測電阻與角度的關係及磁場平行(LMR)、垂直(PMR)於電流時的磁阻，在10K時，以Pd/Ni為材料的多層膜中有看到反常異向性磁阻(Inverse AMR)效應，在300K時，以Cu/Ni為材料的第一類樣品有看到此效應，之後我們還有在不同溫度下量測電阻與角度的關係並找到其效應轉變的溫度。
由實驗結果推論，不同材料中觀察到的結果，物理機制並不相同；應該與介面性質有關。但是物理理論上的解釋還需要更進一步地探討。
參考文獻 [1] M. N. Baibich, J. M. Broto, A. Fert, F. Nguyen Van Dau, F. Petroff, P. Etienne, G. Creuzet, A. Friederich, and J. Chazelas, Phys. Rev. Lett. 61, 2472 (1988)
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[8] Y. M. Lu, J. W. Cai, S. Y. Huang, D. Qu, B. F. Miao, and C. L. Chien, Phys. Rev. B 87, 220409(2013)
[9] H. Nakayama, M. Althammer, Y.-T. Chen, K. Uchida, Y. Kajiwara, D. Kikuchi, T. Ohtani, S. Geprägs, M. Opel, S. Takahashi, R. Gross, G. E. W. Bauer, S. T. B. Goennenwein, and E. Saitoh, Phys. Rev. Lett. 110, 206601(2013)
[10] Massimiliano d’Aquino, Nonlinear Magnetization Dynamics in Thin-film and Nanoparticles, Ph.D. thesis, Naples Italy: University of Naples Federico II, 2004.
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[25] X. Kou, J. M. Schmalhorst, V. Keskin, and G. Reiss, J. Appl. Phys. 112,
093915 (2012)
描述 碩士
國立政治大學
應用物理研究所
101755016
102
資料來源 http://thesis.lib.nccu.edu.tw/record/#G0101755016
資料類型 thesis
dc.contributor.advisor 李尚凡zh_TW
dc.contributor.advisor Lee, Shang Fanen_US
dc.contributor.author (Authors) 李信甫zh_TW
dc.contributor.author (Authors) Lee, Hsin Fuen_US
dc.creator (作者) 李信甫zh_TW
dc.creator (作者) Lee, Hsin Fuen_US
dc.date (日期) 2013en_US
dc.date.accessioned 25-Aug-2014 15:23:19 (UTC+8)-
dc.date.available 25-Aug-2014 15:23:19 (UTC+8)-
dc.date.issued (上傳時間) 25-Aug-2014 15:23:19 (UTC+8)-
dc.identifier (Other Identifiers) G0101755016en_US
dc.identifier.uri (URI) http://nccur.lib.nccu.edu.tw/handle/140.119/69234-
dc.description (描述) 碩士zh_TW
dc.description (描述) 國立政治大學zh_TW
dc.description (描述) 應用物理研究所zh_TW
dc.description (描述) 101755016zh_TW
dc.description (描述) 102zh_TW
dc.description.abstract (摘要) 在磁性材料中的電阻率會隨著磁場與電流的夾角不同而改變且磁場平行於電流時會大於磁場垂直於電流時的值(ρH‖I > ρH⊥I)，此現象稱作異向性磁阻(Anisotropic Magnetoresistance, AMR)效應。而在薄膜材料中，因為和塊材的形狀差異，磁場垂直於電流的電阻率又可以分為磁場方向平行於膜面(ρ⊥HIP)和磁場方向垂直於膜面 (ρ⊥HPP)。而依這兩者在單層膜與多層膜中不一樣的行為又可以分作兩種效應。在Co、Ni的單層膜中ρ⊥HIP > ρ⊥HPP，此現象稱為幾何尺寸效應(Geometric Size Effect, GSE)，而在Co/Pt的多層膜中ρ⊥HPP > ρ⊥HIP，與幾何尺寸效應果相反，此現象稱為異向性界面磁阻(Anisotropic Interface Magnetoresistance, AIMR)。而我們在Pd/Ni、Cu/Ni多層膜中更是看到磁場方向垂直於膜面 (ρ⊥HPP)大於磁場平行於電流(ρH‖I)，這是和異向性磁阻(Anisotropic Magnetoresistance, AMR)效應完全相反的現象，我們稱作反常異向性磁阻(Inverse AMR)效應
本實驗製作的樣品皆為磁性層與非磁性層交錯的多層膜，磁性層材料為鎳(Ni)，非磁性層的材料則選用接近滿足Stoner 準則(Stoner criterion)之一的鈀(Pd)，以及遠離此準則且自旋軌道交互作用很弱的銅(Cu)當對照組。而為了釐清其發生機制，所以分別做了兩種類型的樣品，第一類是固定單層膜厚改變層數，第二類是固定層數及磁性層(非磁性層)改變非磁性層(磁性層)。完成後的樣品首先以XRD確認樣品的膜厚與品質，接著在10 K和300 K的溫度量測電阻與角度的關係及磁場平行(LMR)、垂直(PMR)於電流時的磁阻，在10K時，以Pd/Ni為材料的多層膜中有看到反常異向性磁阻(Inverse AMR)效應，在300K時，以Cu/Ni為材料的第一類樣品有看到此效應，之後我們還有在不同溫度下量測電阻與角度的關係並找到其效應轉變的溫度。
由實驗結果推論，不同材料中觀察到的結果，物理機制並不相同；應該與介面性質有關。但是物理理論上的解釋還需要更進一步地探討。		zh_TW
dc.description.tableofcontents 摘要 Ⅰ
Abstract Ⅱ
目錄 Ⅲ
圖目錄 Ⅴ
表目錄 Ⅸ
第一章 緒論 1
第二章 磁性基本理論 5
2-1 磁性物質簡介 5
2-2 磁異向性 8
2-3 磁阻 11
第三章 文獻回顧 16
第四章 實驗儀器與實驗原理 19
4-1 濺鍍系統 19
4-2 四點量測法 21
4-3 X光繞射技術 23
4-4 物理性質量測系統(PPMS) 24
4-5 磁性量測系統(MPMS) 28
第五章 實驗結果與數據分析 31
5-1樣品參數 31
5-2 XRD量測及校正 33
5-3多層膜電阻量測 37
5-4多層膜磁阻變化討論 50
5-5飽和磁場旋轉樣的變溫磁阻量測 56
5-6磁阻量測 62
5-7電流垂直膜面磁阻量測 70
5-8多層膜磁性量測 74
5-9異常霍爾效應 78
5-10 AFM掃描 80
5-11 實驗分析討論 82
第六章 結論 85
附錄 87
參考文獻 95		zh_TW
dc.format.extent 5228392 bytes-
dc.format.mimetype application/pdf-
dc.language.iso en_US-
dc.source.uri (資料來源) http://thesis.lib.nccu.edu.tw/record/#G0101755016en_US
dc.subject (關鍵詞) 多層膜zh_TW
dc.subject (關鍵詞) 異向性zh_TW
dc.subject (關鍵詞) 磁阻zh_TW
dc.subject (關鍵詞) multilayersen_US
dc.subject (關鍵詞) anisotropicen_US
dc.subject (關鍵詞) magnetoresistanceen_US
dc.title (題名) 鎳鈀,鎳銅多層膜界面異向性磁阻zh_TW
dc.title (題名) Interfacial anisotropic magnetoresistance of Ni/Pd and Ni/Cu multilayersen_US
dc.type (資料類型) thesisen
dc.relation.reference (參考文獻) [1] M. N. Baibich, J. M. Broto, A. Fert, F. Nguyen Van Dau, F. Petroff, P. Etienne, G. Creuzet, A. Friederich, and J. Chazelas, Phys. Rev. Lett. 61, 2472 (1988)
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093915 (2012)		zh_TW